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Mehr Details kontaktieren Sie bitte edytian@helioswafer.com

Das Hauptprodukt von HELIOS NEW MATERIALS LIMITED ist hochwertiger Kristall produkte :

Saphir substrat (Saphir fenster)
Siliciumcarbid (SiC wafer)

Galliumnitrid  (GaN wafer)



Die Kundengruppe von HELIOS NEW MATERIALS LIMITED:Forschungseinrichtungen, Universitätslaboratorien (Photoektronik, Chemie, Optik, Elektronik, Physik), F&E-Abteilung der  Hightech- Unternehmen

HELIOS NEW MATERIALS LIMITED wurde im Jahr 2014 gegründet, befindet sich in der Provinz Jiangsu, China, in der Nähe von Shanghai. Das Unternehmen verfügt über die notwendige Technologie, Produktanlagen, und Prüfgeräte, und hat einen erfahrenen technischen Team und Vertriebsteam gegründet, um Kunden mit Produkten und Kundendienst zu bieten.

Warum HELIOS NEW MATERIALS LIMITED ?
Wir verstehen die Einkaufsgewohnheiten von F & E-Kundengruppen, bieten die flexible Lösung für Produkt mit Analyse der tatsächlichen Bedürfnisse der Kunden, reduzieren die Schwierigkeit und das Risiko der überseeischen Beschaffung für Kunden , verkürzen den Beschaffungszyklus, schaffen eine stabile Beschaffungskanal.  Wir legen Wert auf die Kauferfahrung der Käufer, Unser Verkaufsteam ist schnell ansprechbar, bereit zu kommunizieren, ehrlich und vertrauenswürdig.  Anders als die meisten Hersteller konzentrieren wir uns auf die Herstellung von die speziellen, nicht dem Standard entsprechende Produkte, haben die einzigartige, diversifizierte Produktreihe.


Produkte:Saphir substrat (Saphir fenster)

Erzeugnisse stichwort:Saphirscheiben, Saphirfenster, Saphirgläser, Schutzglas, optisches Glas, Stufenglas, Saphir Substrat

Kategorie:

C- Ebene <0001> Saphirsubstrate
R- Ebene <1-102> Saphirsubstrate
M- Ebene <10-10> Saphirsubstrate
A- Ebene <11-20> Saphirsubstrate
N-Ebene <11-23> Saphir-Substrat
V-Ebene <22-43> Saphir-Substrat


kurz Spezifikationen:
Kristallmaterial : 99.995%, Hohe Reinheit, Monokristallin Al2O3 Durchmesser / Dicke: 50.8mm/430um, 76.2mm/500um, 100mm/650um, 150mm/1300um Oberfläche: eine Seite oder doppelseiten poliert, Epi-ready CMP Ra ≤ 0.2nm TTV/WARP/BOW: ≤10um/ 15um/ 15um
Paket: Klasse 100 Reinraumreinigung und Vakuum-Stickstoffverpackung

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Produkte:Siliciumcarbid Substrat
Erzeugnisse stichwort:Karborund, Siliziumcarbid, Siliziumkarbid, Siliciumcarbid Substrat, Siliciumcarbid wafer


Kategorie:
4H-N Siliciumcarbid Substrat
4H Halbisoliert Siliciumcarbid Substrat

6H-N Siliciumcarbid Substrat

kurz Spezifikationen:

Durchmesser: 50.8mm (2 inch), 76.2mm (3 inch), 100mm (4 inch), 150mm (6 inch)
Oberfläche: Si oberfläche CMP Ra ≤ 0.5nm/ C oberfläche Ra≤ 1.0nm
TTV/WARP/BOW: ≤15um/ 25um/ 45um
Paket: Klasse 100 Reinraumreinigung und Vakuum-Stickstoffverpackung


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Produkte:Galliumnitrid Substrat
Erzeugnisse stichwort:Galliumnitrid wafer, Galliumnitrid auf dem Saphir substrat, GaN template, GaN free standing

Kategorie:
Galliumnitrid auf dem Saphir substrat
rein Galliumnitrid wafer

kurz Spezifikationen:

Galliumnitrid auf dem Saphir substrat
Durchmesser: 50.8mm (2 inch)
Dicke von Galliumnitrid: 20um oder 4um
Leitvermögen Typ: nicht dotiert N-Typ/ N-typ/ hoch dotiert N-typ

rein Galliumnitrid wafer
Abmessungen: 10*15mm
Dicke: 330um
Leitvermögen Typ: nicht dotiert N-Typ/ N-typ/ hoch dotiert N-typ
Paket: Klasse 100 Reinraumreinigung und Vakuum-Stickstoffverpackung


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