ENGLISHDeutschFrench日本語

Pour plus de détails, veuillez contacter edytian@helioswafer.com

Les principaux produits de HELIOS NEW MATERIALS LIMITED sont des produits en cristal de haute qualité:

Substrat de saphir
Substrat de carbure de silicium (SiC)
Substrat de nitrure de gallium (GaN)

Clients d'HELIOS: Instituts de recherche, laboratoires universitaires (Optoélectronique, chimie, optique, électronique, physique, etc.), départements R & D des entreprises high-tech.

HELIOS NEW MATERIALS LIMITED a été fondée en 2014 à Jiangsu, en Chine, qui est très fermée à la ville de Shanghai. La société dispose d'équipements de technologie, de traitement et d'essai pour les produits en cristal, et a mis en place des équipes de vente et de technologie expérimentées pour fournir aux clients des produits et un service après-vente.

Pourquoi choisir HELIOS NEW MATERIALS LIMITED?
Nous étudions les habitudes d'achat des clients, nous ne vendons pas seulement des produits, mais travaillons également avec les clients pour trouver une solution flexible, réduire la difficulté et les risques des achats à l'étranger, raccourcir le cycle d'achat et établir un canal d'approvisionnement stable.
Nous fournissons la meilleure expérience d'achat à nos clients, avec une réponse rapide, une bonne communication et notre attitude honnête. Contrairement à la plupart des autres fabricants, nous nous concentrons sur la production de produits en cristal spéciaux, non standard, avec des lignes de produits uniques et diversifiés.


Products:Substrat de saphir

 

Catalogue:

C-plane <0001> sapphire wafer
R-plane <1-102> sapphire wafer
M-plane <10-10> sapphire wafer
A-plane <11-20> sapphire wafer
N-plane <11-23> sapphire wafer

V-plane <22-43> sapphire wafer



Brève spécification:
Crystal Material: ≥ 99.995%, High Purity, Monocrystalline Al2O3
Diameter/ Thickness: 50.8mm/430um, 76.2mm/500um, 100mm/650um, 150mm/1300um
Surface: SSP or DSP, Epi-ready CMP Ra ≤ 0.2nm
TTV/WARP/BOW: ≤10um/ 15um/ 15um

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging


Télécharger le profil du produit.
Plus de détails s'il vous plaît contacter: edytian@helioswafer.com


Products:Substrat de carbure de silicium (SiC)
 


Catalogue:

4H-N SiC wafer
4H semi-insulting SiC wafer

6H-N SiC wafer

Brève spécification:

Diameter:50.8mm (2 inch), 76.2mm (3 inch), 100mm (4 inch), 150mm (6 inch)
Surface finish:Si-face CMP Ra ≤ 0.5nm/ C-face Ra≤ 1.0nm
TTV/WARP/BOW: ≤15um/ 25um/ 45um

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

Download the product profile
More details please contact: edytian@helioswafer.com


Products:Substrat de nitrure de gallium (GaN)

catalogue:
GaN template: Couche de GaN sur substrat de saphir
GaN wafer: Gaufrettes de nitrure de gallium sans autres substrats

 
Brève spécification:

GaN template:
Diameter:50.8mm (2 inch)
Thickness of GaN layer:20um or 4um
Conduction type:un-doped N-type、N-type、high-doped N-type

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

GaN wafer

Dimension:10*15mm (customized)
Thickness:330um
Conduction type:un-doped N-type、N-type、high-doped N-type

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

Télécharger le profil du produit.
Plus de détails s'il vous plaît contacter: edytian@helioswafer.com