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HELIOS NEW MATERIALS LIMITEDは主に高品質の結晶体基板、窓材を生産します。

サファイア基板Sapphire Wafer
炭化けい素基板Silicon Carbide (SiC) wafer
ちっかガリウム基板Gallium Nitride (GaN) wafer

HELIOS NEW MATERIALSLIMITEDの客層は:研究機構、大学実験室(光電、化学、光学、電子、物理の領域)、ハイテク会社の研究開発部門。

HELIOS NEW MATERIALS LIMITEDは2014年に創立され、中国江蘇省に位置し、上海市に近いです。会社は結晶を加工する必要な技術と加工、測定の設備を持ちます、豊富な経験の技術、銷售チームを創立する、お客様のために製品とアフターサービスを提供します。

なぜHELIOSNEW MATERIALS LIMITEDを選択すると言うと

大多数のメーカーと違い、私達は特殊で標準的ではない製品の製作に力を入れます、特に独特性が有って多様化の製品シリーズを製作します。


製品: サファイア基板 Sapphire Wafer

 

製品の細分化:

C面 <0001> サファイア基板
R面 <1-102> サファイア基板
M面 <10-10> サファイア基板
A面 <11-20> サファイア基板
N面 <11-23> サファイア基板

V面 <22-43> サファイア基板

サファイア基板の規格を簡単に述べる
Crystal Material: ≥ 99.995%, High Purity, Monocrystalline Al2O3
Diameter/ Thickness: 50.8mm/430um, 76.2mm/500um, 100mm/650um, 150mm/1300um
Surface: SSP or DSP, Epi-ready CMP Ra ≤ 0.2nm
TTV/WARP/BOW: ≤10um/ 15um/ 15um

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging


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製品: 炭化けい素基板 Silicon Carbide (SiC) wafer
 


製品の細分化:

4H-N SiC wafer
6H-N SiC wafer

4H semi-insulting SiC wafer

炭化けい素基板の規格を簡単に述べる

Diameter:50.8mm (2 inch), 76.2mm (3 inch), 100mm (4 inch), 150mm (6 inch)
Surface finish:Si-face CMP Ra ≤ 0.5nm/ C-face Ra≤ 1.0nm
TTV/WARP/BOW: ≤15um/ 25um/ 45um

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

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製品: ちっかガリウム基板 Gallium Nitride (GaN) wafer

製品の細分化:
GaN template: サファイア基板には窒化ガリウムの厚膜が生えている
GaN wafer: Gallium nitride wafers without other substrates

 
ちっかガリウム基板の規格を簡単に述べる:

GaN template:
Diameter:50.8mm (2 inch)
Thickness of GaN layer:20um or 4um
Conduction type:un-doped N-type、N-type、high-doped N-type

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

GaN wafer
Dimension:10*15mm (可定制)
Thickness:330um
Conduction type:un-doped N-type、N-type、high-doped N-type
Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging


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