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砷化镓晶片


关于砷化镓


     砷化镓半导体材料与传统的硅材料相比,具有很高的电子迁移率(约为硅材料的5.7倍)以及宽禁带结构。同样条件下,它能更快的传导电流。我们可以利用砷化镓半导体材料制备微波器件,它在卫星数据传输、移动通信、GPS全球导航等领域具有关键作用。

      砷化镓半导体的一个重要特性是它的光电特性。由于它具有直接带隙(通过吸收或放出光子能量,电子从价带直接跃迁到导带,从而有较高发光效率)以及宽禁带等机构,它的发光效率比硅、锗等半导体材料高。它不仅可以用来制作发光二极管、光探测器,还能用来制备半导体激光器,广泛用于光通信等领域。此外,砷化镓半导体材料还具有耐高温、低功率等特性,在卫星通讯领域有着广泛应用。


   

产品类目

LD grade
激光二极管应用
LED grade 发光二极管应用
Microelectronics grade
微电子元器件应用


产品规格


Material: GaAs Single Crystal (VGF)
Diameter: 2inch, 3inch, 4inch, 6inch
Thickness: 350-650 um
Orientation: (100) ±0.50
OF/IF: US/EJ/Notch
Surfacefinish: Epi-ready, SSP/DSP
TTV: ≤10 µm  
Warp: ≤10 µm  

激光二极管应用级 LD grade:
Conduct type: N-type (Si doped)
Resistivity: (1.2-9.9)*10^-3 ohm.cm
Carrier concentration: (0.4-2.5)*10^18 /cm^3
Mobility: >1500 cm^2/v.s
EPD: <500 /cm^2

发光二极管应用 LED grade:
Conduct type: P-type (Zn doped), N-type (Si doped)
Resistivity: (1.2-9.9)*10^-3 ohm.cm
Carrier concentration: 
(0.5-5)*10^19 /cm^3 (P-type)
(0.4-4)*10^18 /cm^3 (N -type)
Mobility: 
50-120 cm^2/v.s (P-type)
>1000 cm^2/v.s (N -type)
EPD: <5000 /cm^2

微电子元器件应用级 Microelectronics grade:
Conduct type: Semi-insulating (Undoped)
Resistivity: >10^7 ohm.cm
Carrier concentration: N/A
Mobility: >4000 cm^2/v.s
EPD: <5000 /cm^2

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