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半导体硅片


关于半导体单晶硅


   熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成三维空间长程有序的形式成为单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

   单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品,目前直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。


     


产品类目


* 标准单晶硅片, 
CZ 法

* 本征高阻单晶硅片, FZ 法


产品规格


直径: Ø 2" 50.8mmØ 3" 76.2mm
Ø 4" 100mm, Ø 5" 125mm, 
Ø 6" 150mmØ 8" 200mmØ 12" 300mm

厚度: 200~500um (Ø 2", Ø 3")200~3000um (Ø 4")
5
00um (Ø 5")500~1000um (Ø 6"), 725um (Ø 8") 

生长方法
CZ / FZ method
导电类型: P-type, N-type, Intrinsic
掺杂: Boron, Phosphorous, Antimony, Arsenic or None
晶向: <100>, <111>, <110> or others
电阻率: 0.001 ~ 50 ohm-cm (标准), 
1000 ~ 20000 ohm-cm (高阻)
表面抛光类型: One side polished (SSP), Double sided polished (DSP)
表面粗糙度: Polish Ra≤0.5 nm
包装: Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging


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碳化硅晶片

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