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氮化铝陶瓷基板

氮化铝具有良好的导热性(为氧化铝陶瓷的5-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。
 

Toxicity

Nontoxic

Density

3.3 g/cm³

Hardness (knoop)

11.8 Gpa

Moh's Hardness

7 at 20°C

Flexure Strength

290 Mpa

Modulus of Elasticity

331 Gpa

Poisson's Ratio

0.22

Thermal Conductivity

175 W/mk

Coefficient of Expansion

4.6 x 10-6° (20 - 400°C)

Maximum Use Temperature

800°C Oxidizing

Dielectric Constant

20°C 8.9 at 1MHz

Dielectric Loss at 1MHz

20°C0.0001 - 0.001

Resistivity

>10E14 ohm-cm

 

常规氮化铝陶瓷基片尺寸

厚度(mm)

1.0

0.75

0.635

0.5

0.385



长宽(方片)

114.3mm*114.3mm

101.6mm*101.6mm

76.2mm*76.2mm

50.8mm*50.8mm


厚度(mm)

直径(圆片)

2.0/1.5

20mm

30mm

35mm

40mm

45mm

50mm

60mm

可定制各种尺寸、厚度、形状的氮化铝陶瓷基板。
单面/双面磨抛加工。

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