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热氧化工艺硅片(SiO2)


关于热氧化工艺硅片


硅是一种半导体材料,二氧化硅是一种上好的绝缘材料,具有极其稳定的化学性质,优良特性使其在集成电路制造中有着非常广泛的应用:

1、掩蔽杂质
二氧化硅对杂质的扩散起到掩蔽作用。在集成电路制造中,几种常用的杂质如硼、磷、砷等在二氧化硅膜中的扩散要比它们在硅中的扩散慢很多。因此,在制作半导体器件的各个区(如晶体管的源漏区)时,最常采用的方法是首先在硅晶圆片表面生长一层氧化膜,经过光刻、显影后,再刻蚀掉需掺杂区域表面的氧化膜,从而形成掺杂窗口,最终通过窗口选择性地将杂质注入相应的区域中。
2、栅氧化层
在MOS/CMOS集成电路的制造工艺中,通常用siO2作为MOS晶体管的绝缘栅介质,即栅氧层。
3、介质隔离
集成电路制作中的隔离方法有PN结隔离和介质隔离,其中介质隔离通常选择的就是siO2氧化膜。例如CMOS工艺中的场氧(用来隔离PMOS和NMOS晶体管)就是siO2膜,用来隔离PMOS管和NMOS管的有源区。
4、绝缘介质
二氧化硅是良好的绝缘体,因此对于多层金属布线结构,它用作上下两层金属之间的绝缘介质,可防止金属之间发生短路。

硅与含有氧化物质的气体,例如水汽和氧气在高温下进行化学反应,而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅(SiO2)薄膜,这是硅平面技术中一项重要的工艺。随着芯片尺寸越来越小,热氧化工艺的发展方向主要集中在如何制造电学性能优良且足够薄的栅氧化层,要求这层薄栅具有高介电常数、较低氧化层电荷及较高击穿电压等特性。

热氧化硅片热氧化硅片热氧化硅片热氧化硅片

产品类目


* 单面氧化双面抛光
* 单面氧化单面抛光

* 双面氧化双面抛光
* 双面氧化单面抛光


产品规格


直径: Ø 2" 50.8mmØ 4" 100mm, Ø 6" 150mm

硅片厚度: 400um (Ø 2"), 500um (Ø 4")625um (Ø 6")
二氧化硅层厚度:300nm/500nm (Ø 2"), 300nm (Ø 6")
50nm/100nm/200nm/300nm/500nm/1000nm/2000nm (Ø 4")


生长方法
直拉单晶(CZ),热氧化工艺
导电类型: P-type, N-type
掺杂: Boron, Phosphorous, Antimony, Arsenic
晶向: <100>, <111>
电阻率: 0.001 ~ 0.01 ohm-cm, 1 ~ 10 ohm-cm

表面抛光类型: One side polished (SSP), Double sided polished (DSP)
表面粗糙度: Polish Ra≤0.5 nm
包装: Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging


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