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氮化镓自支撑衬底


关于氮化镓衬底

   氮化镓(GaN)是通常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。 该化合物是具有纤锌矿晶体结构的非常坚硬的材料。 其3.4 eV的宽带隙为其在光电子,高功率和高频设备中的应用提供了特殊性能。
氮化镓对电离辐射的敏感性很低(与其他Ⅲ族氮化物一样),因此它成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。 随着设备在辐射环境中显示出稳定性,军事和空间应用也可能受益。 由于氮化镓晶体管可以在更高的温度下工作,并且工作在比砷化镓(GaAs)晶体管高得多的电压下,所以它们可以制作出微波频率下理想的功率放大器。 此外,GaN为THz器件提供了有前途的特性。

产品类目

N-type (Un-doped) GaN template
N-type GaN template
N-type (High-doped) GaN template

产品规格

Resistivity(300K) :
N-type (Un-doped): < 0.5 Ω·cm
N-type: < 0.05 Ω·cm
N-type (High-doped) : < 0.01 Ω·cm

*  Size: Diameter 50.8 mm (2 英寸圆片)
Thickness: 330 um, 430 um
Orientation: C-axis (0001) to M(1-100) 0.3°± 0.1°
TTV: < 15 um
BOW: <20 um
RMS: <0.2 nm (10 um*10 um)

   

*  Size: 10 mm * 15 mm (小方片)
Thickness: 330 um, 430 um
Orientation: C-axis (0001) to M(1-100) 0.3°± 0.1°
TTV: < 10 um
BOW: <10 um
RMS: <0.2 nm (10 um*10 um)

   

需要详细资料或报价, 请联系 edytian@helioswafer.com


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