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碳化硅晶片


关于碳化硅

   碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能,具有与氮化镓(GaN)相近的晶格常数和热膨胀系数,不仅是制作高亮度发光二极管(HB-LED)的理想衬底材料,也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。

碳化硅材料理化性能

4H-SiC Single Crystal  
Lattice Parameters: a=3.073Å c=10.053Å

Stacking Sequence: ABCB  
Mohs Hardness: ≈9.2
Density: 3.21 g/cm3
Therm. Expansion Coefficient: 4-5×10-6/K
Refraction Index: no= 2.61 ne= 2.66
Dielectric Constant: 9.6 
Thermal Conductivity: a~4.2 W/cm·K@298K
(N-type, 0.02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
Thermal Conductivity: a~4.9 W/cm·K@298K
(Semi-insulating)         c~3.9 W/cm·K@298K
Band-gap: 3.23 eV
Break-Down Electrical Field: 3-5×10 6V/m
Saturation Drift Velocity: 2.0×105m/s
6H-SiC Single Crystal
Lattice Parameters: a=3.081Å c=15.12Å

Stacking Sequence: ABCACB
Mohs Hardness: ≈9.2
Density: 3.21 g/cm3
Therm. Expansion Coefficient: 4-5×10-6/K
Refraction Index: no=2.707 ne=2.755
Dielectric Constant: 9.66
Refraction Index: no=2.707 ne=2.755
 (N-type, 0.02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
Thermal Conductivity: a~4.6 W/cm·K@298K
(Semi-insulating)         c~3.2 W/cm·K@298K
Band-gap: 3.02 eV
Break-Down Electrical Field: 3-5×10 6V/m
Saturation Drift Velocity: 2.0×105m/s


     



产品类目

4H N-type SiC wafer                                                 6H N-type SiC wafer
4H semi-insulting SiC wafer                                       6H semi-insulting SiC wafer

产品规格


Diameter:
50.8mm (2 inch), 76.2mm (3 inch), 100mm (4 inch), 150mm (6 inch)
Wafer Orientation: 
On axis <0001> ±0.5° for 4H-N/4H-Semi-insulating/6H-N/6H-Semi-insulating
Off axis 4.0° toward <1120> ±0.5° for 4H-N/4H-Semi-insulating
Resistivity:
4H-N: 0.015~0.028 Ω·cm
6H-N0.02~0.1 Ω·cm
4/6H-Semi-insulating>1E5 Ω·cm

Surface finish: 
Si-face CMP Ra ≤ 0.5nm
C-face Ra≤ 1.0nm

TTV/WARP/BOW: 
≤15um/ 25um/ 45um

Packing: Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

需要详细资料或报价, 请联系 edytian@helioswafer.com





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